RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3180
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link