RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2930
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link