RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2486
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link