RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2458
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link