RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2458
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link