RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2559
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link