RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3115
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link