RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2858
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link