RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2456
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link