RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2648
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link