RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2577
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link