RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2918
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link