RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
28
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3421
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link