RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3672
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link