RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3437
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link