RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3724
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link