RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1979
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link