RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3956
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link