RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3929
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link