RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
75
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
75
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1735
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link