RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3336
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link