RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
28
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
14
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
4182
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link