RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3460
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link