RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2914
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link