RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3399
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link