RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1881
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link