RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3191
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link