RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2974
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link