RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2974
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link