Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 28
    Wokół strony -12% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.8 left arrow 12.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.8 left arrow 7.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 8500
    Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 25
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.7 left arrow 16.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.5 left arrow 12.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1988 left arrow 2989
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania