Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 39
    Wokół strony 28% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.7 left arrow 7.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.5 left arrow 6.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 8500
    Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 39
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.7 left arrow 7.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.5 left arrow 6.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1988 left arrow 1768
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania