RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2907
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link