RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3008
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link