RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1693
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link