RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3076
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link