RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2544
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link