RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3036
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link