RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2310
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link