RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
83
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
83
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1774
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ20UF8BCF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link