RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1639
3168
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link