RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3273
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link