RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
4124
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link