RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3204
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link