RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
61
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
61
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2136
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Mushkin 996902 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link