RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3663
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link