RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
43
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3304
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link