RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3698
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link