RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3687
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link