RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2221
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link