RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2855
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link