RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2760
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link