RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3125
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link